不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究

• 作者: 于芳 刘忠立 李国花 李宁 王宁娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 全耗尽 总剂量辐射 器件模拟
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 750-754
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.024

摘要

研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院半导体研究所传感器国家重点实验室	304	5119	38.0	59.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所传感器国家重点实验室	77	412	12.0	14.0
3	于芳	中国科学院半导体研究所传感器国家重点实验室	28	112	6.0	9.0
4	王宁娟	中国科学院半导体研究所传感器国家重点实验室	2	8	1.0	2.0
5	李国花	中国科学院半导体研究所传感器国家重点实验室	5	26	4.0	5.0