化学机械抛光机理研究

• 作者: 郭世璋
• 来源期刊: 制造业自动化
• 学科: 工学
• 关键词: 粗集理论 SPSS 多媒体教学效果 综合评价
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 分析与探讨
• 页码范围: 118-119,139
• 页数: 3页
• 分类号: TH117
• 字数: 1618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0134.2010.02.036

摘要

虽然CMP过程材料去除机理得到了广泛深入研究,取得了许多理论成果,但是每一种理论都存在着或多或少的缺陷,没有一种理论完全正确的解释了CMP的机理.在众多CMP材料去除机理里,比较得到认可的是抛光垫、颗粒和工件表面三体磨损理论和化学腐蚀理论[1～4].但是表面质量较好的工件在CMP之后没有观察到划痕,三体磨损理论受到了极大的挑战.而化学腐蚀理论很难解释腐蚀速度和腐蚀后表面质量关系[5,6].本文结合CMP过程的实际环境,实验得到了化学机械抛光的抛光机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭世璋		12	24	3.0	4.0