忆阻器研究进展及应用前景

• 作者: 王乐毅
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 非线性 综述 存储器
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 71-74
• 分类号: TN373
• 字数: 3360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.12.021

摘要

回顾了忆阻器的起源与发展,论述了忆阻器的物理特性,重点介绍了TiO2与TiO2-x材料制造的忆阻器特性.探索了忆阻器的功能、应用和有待解决的难题,讨论了忆阻器用于存储器件的优点和结构特点,以及其在模拟神经网络方面的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王乐毅	青岛科技大学自动化与电子工程学院	3	34	1.0	3.0