SiC ICP背面通孔刻蚀研究

• 作者: 于峰涛 冯志红 周瑞 张志国 张雄文 李亚丽 闫锐
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 通孔刻蚀 碳化硅 六氟化硫 倾角
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 249-252
• 分类号: TN304.24|TN405.983
• 字数: 1606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.04.011

摘要

介绍了利用ICP设备,使用SF6基气体对4H-SiC衬底进行背面通孔刻蚀的技术.研究了金属刻蚀掩模、刻蚀气体中O2含量的变化、反应室压力、RF功率和ICP功率等各种条件对刻蚀结果产生的影响,重点对刻蚀气体中O2含量和反应室压力两个条件进行了优化.通过对刻蚀结果的分析,得出了适合当前实际工艺的优化条件,实现了厚度为100 μm、直径为70μm的SiC衬底GaN HEMT和单片电路的背面通孔刻蚀,刻蚀速率达700 nm/min,SiC和金属刻蚀选择比达到60:1.通过对工艺条件的优化,刻蚀出倾角为75°～90°的通孔.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯志红		38	81	5.0	5.0
2	张志国		7	48	4.0	6.0
3	闫锐		3	15	3.0	3.0
4	李亚丽		3	5	2.0	2.0
5	张雄文		3	5	2.0	2.0
6	周瑞		4	5	2.0	2.0
7	于峰涛		1	3	1.0	1.0