射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜

• 作者: 别勋 叶志镇 吕建国 林兰 赵炳辉 龚丽
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频反应磁控溅射 Na-N共掺 p型ZnO薄膜 退火
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 199-203
• 分类号: O484.1|O472.4
• 字数: 2699字
• 语种: 中文

摘要

采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜.XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜.Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450 ℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2 Ω·cm,迁移率为0.2 cm2·V-1·s-1,空穴浓度为2.5×1017 cm-3.XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N-H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
4	别勋	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	12	2.0	2.0
5	林兰	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	10	1.0	1.0
6	龚丽	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	10	1.0	1.0