浮栅ROM器件的脉冲与稳态总剂量效应研究

• 作者: 姚志斌 张凤祁 张科营 王圆明 罗尹虹 郭红霞
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: EPROM 阈值电压 脉冲总剂量
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 783-787
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3543字
• 语种: 中文

摘要

目前国内存储器辐照效应研究多数集中于功能测试,对具体参数研究较少.本文提出了浮栅型存储器阐值电压的测试方法,并引入紫外预辐照方法,对几种不同集成度的浮栅型存储器EPROM,开展了脉冲与稳态总剂量效应对器件阈值电压影响的异同性研究,分析了损伤机理.研究结果表明,不同于MOS和CMOS器件,脉冲辐照引起的浮栅ROM器件阈值电压漂移大于稳态辐照,为系统器件选型提供了重要参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	张凤祁		40	169	8.0	10.0
3	郭红霞		81	385	10.0	13.0
4	姚志斌		35	171	8.0	10.0
5	张科营		23	111	7.0	8.0
6	王圆明		6	22	3.0	4.0