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快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响
快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响
作者:
李养贤
蔡莉莉
陈贵锋
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硅单晶
电子辐照
氧沉淀
快速热处理
清洁区
摘要:
对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1 100 ℃下进行常规一步退火.研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响.结果表明:经过RTP再经高温一步退火后,硅晶体内形成了密度较高的氧化诱生层错以及完整的位错环,样品表面形成了一定宽度的清洁区;清洁区的宽度随RTP温度及降温速率的升高而变窄.当RTP温度达到1 280 ℃时,样品中的层错和位错环明显减少,此时当RTP降温速率增加至150 ℃/s时,大部分层错消失,样品中出现了大量的点状腐蚀坑.
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关键词热度
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文献信息
篇名
快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响
来源期刊
硅酸盐学报
学科
工学
关键词
硅单晶
电子辐照
氧沉淀
快速热处理
清洁区
年,卷(期)
2010,(2)
所属期刊栏目
研究论文,中文
研究方向
页码范围
196-200
页数
5页
分类号
TN305.2
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈贵锋
河北工业大学材料学院信息功能材料研究所
22
59
5.0
6.0
2
李养贤
河北工业大学材料学院信息功能材料研究所
51
362
12.0
17.0
3
蔡莉莉
华北科技学院基础部物理教研室
16
64
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研究主题发展历程
节点文献
硅单晶
电子辐照
氧沉淀
快速热处理
清洁区
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
硅酸盐学报
主办单位:
中国硅酸盐学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0454-5648
CN:
11-2310/TQ
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区三里河路11号
邮发代号:
2-695
创刊时间:
1957
语种:
chi
出版文献量(篇)
6375
总下载数(次)
8
总被引数(次)
83235
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
河北省自然科学基金
英文译名:
官方网址:
项目类型:
学科类型:
期刊文献
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