表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究

• 作者: 段俊丽 郝立超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN-HEMT器件 电流坍塌效应 热电子效应 表面电荷
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2746-2752
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

研究了GaN基HEMT器件表面电荷和体陷阱的变化对输出特性的影响.通过分析表面电荷与体陷阱对电流坍塌效应、饱和电流和膝点电压的影响,初步确定了其变化关系.研究结果显示表面电荷的增加能够耗尽二维电子气,减弱电流坍塌效应,降低饱和电流,使膝点电压非正常后移.同时,体陷阱的减小可以有效减弱电流坍塌效应,增大饱和电流,且膝点电压基本保持不变.晶格温度较低时,热电子效应和量子隧穿效应对电流坍塌效应影响显著.采用流体动力学模型,分析了引起电流坍塌效应的内在物理机制,并获得了器件设计和制备的优化方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段俊丽		31	103	6.0	8.0
2	郝立超	同济大学物理学院	1	5	1.0	1.0