InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究

• 作者: 刘斌 刘炼 张曌 张荣 谢自力 陶涛
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 阴极荧光联合分析系统 InGaN薄膜材料 V坑 In富集区域
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 719-724
• 分类号: O472.3
• 字数: 4130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2011.05.017

摘要

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统结合场发射扫描电镜对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上实现的不同生长温度条件下InGaN/GaN薄膜材料进行测试分析.利用CL紫外可见光谱系统,对(0001)面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的发光波长与In成分变化之间的关系,即随着薄膜中Im含量的降低CL谱峰值波长随之产生蓝移.为了进一步研究InGaN薄膜材料的发光机制及薄膜中出现的V坑,对InGaN/GaN薄膜材料进行了同一位置的SEM图像和CL Mapping的对比分析,探讨了缺陷与发光的关系.认定了薄膜中出现的大尺寸V坑对InGaN薄膜材料的发光没有帮助；小尺寸V坑被认定为热腐蚀坑,也对薄膜发光没有贡献.结合SEM图像和CL Mapping初步确认了部分In富集区域.同时研究了InGaN/GaN薄膜表面形貌的平坦区域与沟壑区域造成的发光波动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘斌	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	39	97	6.0	8.0
2	张曌	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	1	2	1.0	1.0
3	陶涛	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	5	10	2.0	3.0
4	刘炼	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	谢自力	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	19	44	5.0	6.0