Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜

• 作者: 李艳辉 杨春章 苏栓 谭英 赵俊 高丽华
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延(MBE) CdTe薄膜 半峰宽(FWHM) 腐蚀坑密度(EPD)
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 598-601
• 分类号: TN213
• 字数: 1988字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.10.009

摘要

采用分子束外延在3英寸Ge(211)衬底上生长了10 μm厚的CdTe(211)B薄膜.CdTe表面镜面光亮,3英寸范围厚度平均值9.72 μm,偏差0.3 μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迴摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23 arcsec,偏差3.03 arcsec; EPD平均值为4.5×106cm-2.通过研究CdTe薄膜厚度与FWHM和EPD的关系,得到CdTe的理想厚度为8～9 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳辉		14	24	3.0	4.0
2	杨春章		8	12	2.0	3.0
3	苏栓		4	7	2.0	2.0
4	谭英		5	9	2.0	3.0
5	高丽华		4	7	2.0	2.0
6	赵俊		19	57	4.0	6.0