离子束反应溅射沉积SiO2薄膜的光学特性

• 作者: 戚云娟 扎瓦斯基 朱昌 格拉索夫 米高园 达斯坦科
• 来源期刊: 应用光学
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化硅 反应离子束溅射 光学常数 沉积速率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 光电系统与工程
• 页码范围: 236-240
• 分类号: TN305.92|O484.4
• 字数: 2503字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2082.2011.02.010

摘要

主要研究采用离子束反应溅射(RIBS)制备SiO2薄膜的折射率、消光系数、化学计量比与氧气在氮氧混合工作气体中含量及其沉积速率的关系.研究结果表明:RIBS制备的SiO2薄膜在0.63μm 处折射率n= 1.48,消光系数小于10(-5);随着沉积速率的增加,薄膜的折射率和消光系数随之变大,当沉积速率超过0.3 nm/s,即使是在纯氧环境溅射,折射率值也不低于1.5;通过对红外透射光谱的主吸收峰位置研究得到沉积的SiO2薄膜为缺氧型,化学计量比不超过1.8,且红外吸收峰位置和SiO2折射率存在对应关系,因此在不加热衬底情况下使用RIBS制备SiO2薄膜时,会限制沉积速率的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱昌		39	245	9.0	13.0
2	戚云娟		2	5	2.0	2.0
3	米高园		2	4	1.0	2.0