SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析

• 作者: 何大伟 宋朝瑞 徐大伟 程新红
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: NbAlO栅介质 价带偏移 超晶格
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 120-124
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.020

摘要

本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究.高分辨透射电镜(HRTEM)测试表明退火后薄膜是结晶的,同步辐射X射线反射率(XRR)和X射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构,有0.5nm的界面层存在,X射线光电子谱(XPS)表明界面层主要成分是SiOx,介质层与SiGe衬底之间的价带偏移是2.9eV.电学测试分析给出的等效栅氧厚度和介电常数分别是1.8nm和19.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋朝瑞		13	48	5.0	6.0
3	何大伟	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	13	2.0	3.0
4	程新红	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	14	34	4.0	5.0
5	徐大伟	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	0	0.0	0.0