一种极低功耗的CMOS带隙基准源

• 作者: 张春 徐冠南 贾晨 陈虹
• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 低功耗 亚阈值 SoC
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 设计
• 页码范围: 27-30,55
• 分类号: TN432
• 字数: 2337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-5289.2011.02.004

摘要

随着SoC在便携产品中应用的迅猛发展,低功耗技术变得越来越重要.本文采用了0.18um的标准CMOS工艺来,设计了一种无电阻、工作在亚阈值区的低功耗、小面积的CMOS电压基准源.这个带隙基准可以灵活运用于极低功耗的SoC系统中.这个电路的电源电流大约为1 50nA,可以在1.5V～3.3V之间的电源电压下工作,基准源的输出电压的线性度为44.4ppm/V.当电源电压为1.5V,室温下带隙基准电路的输出电压为1.11 26V,1 00HE频率下的电源抑制比为-66dB,当温度在-20℃与80℃之间变化时,输出电压的温度系数是5 5ppm/℃.整个带隙基准的芯片面积是0.011 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张春	清华大学微电子学研究所	105	832	14.0	25.0
2	陈虹	清华大学微电子学研究所	26	146	7.0	11.0
3	贾晨	清华大学微电子学研究所	18	126	7.0	10.0
4	徐冠南	清华大学微电子学研究所	1	6	1.0	1.0