双AIN插入层法在Si图形衬底上进行AIGaN/GaN HEMT的MOCVD生长

• 作者: 余乃林 刘纪美 王丛舜 王勇
• 来源期刊: 长春理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 农学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 AlGaN/GaN高迁移率晶体管 Si图形衬底 双A1N插入层
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 9-12
• 分类号: S482.3
• 字数: 1600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2011.04.003

摘要

双AIN插入层方法被用来在Si (111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长.Si图形衬底采用SiO2掩膜和漫法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备.高温生长双AIN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底之间由于晶格失配和热失配而产生的张应力.AlGaN/GaN HEMT的生长特性被讨论和分析.在使用优化的双AIN插入层之前,可以在图形[1-100]方向观察到比[11-20]方向更多的由于应力而引起的裂纹.这是由于GaN在(1-100)面比(11-20)更稳定.建议在图形设计中,长边应沿着[11-20]方向进行制备.拉曼测试显示在图形凹角处比凸角处有更大的拉曼频移,证明在图形凹角处有更大的张应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纪美	香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心	3	5	1.0	2.0
2	王勇	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	26	43	4.0	5.0
6	余乃林	香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心	1	0	0.0	0.0
7	王丛舜	香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心	1	0	0.0	0.0