锗(Ge)光学薄膜在不同沉积温度下的聚集密度研究

• 作者: 刘定权 尹欣 张莉 罗海瀚
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学薄膜 聚集密度 锗 沉积温度
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 90-93
• 分类号: O484.4
• 字数: 2308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2011.12.017

摘要

锗(Ge)薄膜是中长波红外区最常用的光学薄膜之一,高的聚集密度对于提升光谱稳定性和光学薄膜元件的品质非常重要.选用纯度为99.99％的Ge材料,在5× 10-4 Pa左右的真空压力下用电子束蒸发沉积,石英晶振仪将沉积速率控制在0.8～1.0 nm/s范围,宝石片基片上的膜层厚度约为0.8～1.0μm,在不同沉积温度下制备样品.用傅里叶红外光谱仪测量吸潮前后薄膜的光谱曲线,根据波长漂移理论,计算出薄膜的聚集密度.结果表明:聚集密度随沉积温度的升高而增加,从常温沉积的约0.74上升到250℃沉积的0.99以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘定权	中国科学院上海技术物理研究所	49	176	8.0	12.0
2	张莉	中国科学院上海技术物理研究所	74	1221	19.0	33.0
3	罗海瀚	中国科学院上海技术物理研究所	11	19	3.0	4.0
7	尹欣	中国科学院上海技术物理研究所	4	18	3.0	4.0