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摘要:
We investigate high electron mobility transistors (HEMT’s) based on AlGaN/GaN grown by molecular beam epitaxy on Silicon substrates. The improvement of the performances of such transistors is still subject to the influence of threading dislocations and point defects which are commonly observed in these devices. Deep levels in FAT-HEMT’s are characterized by using Capacitance-Voltage (C-V) measurements, from which we can extract the barrier height and the donor concentration in the AlGaN layer. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) Technique is also employed to identify defects in the heterostructure. Measurements reveal the presence of one electron trap with the activation energy E1 = 0.30 eV and capture cross-section σn = 3.59 10–19cm2. The localization and the identification of this trap have been discussed.
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文献信息
篇名 Electrical Characterization of Traps in AlGaN/GaN FAT-HEMT’s on Silicon Substrate by C-V and DLTS Measurements
来源期刊 现代物理(英文) 学科 工学
关键词 ALGAN/GAN FAT-HEMT’s C-V CAPACITANCE DLTS Deep Level
年,卷(期) 2011,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1229-1234
页数 6页 分类号 TN3
字数 语种
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2011(0)
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研究主题发展历程
节点文献
ALGAN/GAN
FAT-HEMT’s
C-V
CAPACITANCE
DLTS
Deep
Level
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代物理(英文)
月刊
2153-1196
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
出版文献量(篇)
1826
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