MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究

• 作者: 于奇 倪烨 张怀武 戴强 钟智勇
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 湿法刻蚀 MEMS 深槽刻蚀 掩膜
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 5-7
• 分类号: TN405
• 字数: 2102字
• 语种: 中文

摘要

针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺.对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,掩膜技术等进行了实验研究,优化得到了最佳刻蚀条件.应用该技术成功地刻蚀出深度高达330μm的深槽,为MEMS元器件的加工提供了一种参考方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张怀武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	294	2211	20.0	32.0
2	于奇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	50	252	8.0	13.0
3	戴强	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	26	3.0	5.0
4	钟智勇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	359	10.0	15.0
5	倪烨	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	29	2.0	2.0