直拉单晶炉中碳氧含量的研究

• 作者: 张东
• 来源期刊: 科技信息
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 直拉法生长 氧杂质 碳杂质
• 年，卷（期）: 2011,（30）
• 所属期刊栏目: 博士·专家论坛
• 页码范围: 17
• 分类号: TQ127.2
• 字数: 2152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9960.2011.30.014

摘要

晶体硅中的杂质会显著的影响各种硅基器件的性能,本文分析了直拉单晶炉中碳、氧杂质的引入机制,研究了减少碳、氧杂质的措施,并且做了相应的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张东		21	15	3.0	3.0