直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长

• 作者: 杨德仁 符黎明 郭杨 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉单晶硅 氧沉淀 消融 再生长
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3096字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.011

摘要

重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	符黎明	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	9	1.0	1.0
5	郭杨	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	11	2.0	2.0