磁控溅射法制备W-Cu薄膜的研究

• 作者: 张剑 熊斐 邵菲 陈文革
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: W-Cu薄膜 磁控溅射 单靶 双靶
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 3031字
• 语种: 中文

摘要

采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构.分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520 V,溅射电流0.8～1.2A,Ar气流量25 mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20 mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600 s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及45钢基体上的镀膜效果不理想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈文革	西安理工大学材料科学与工程学院	123	1275	17.0	30.0
2	邵菲	西安理工大学材料科学与工程学院	7	41	4.0	6.0
3	张剑	西安理工大学材料科学与工程学院	5	34	4.0	5.0
4	熊斐	西安理工大学材料科学与工程学院	2	8	2.0	2.0