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Heavy Ion Induced Single Event Upsets on 65 nm Advanced CMOS Technology SRAM
Heavy Ion Induced Single Event Upsets on 65 nm Advanced CMOS Technology SRAM
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Heavy Ion Induced Single Event Upsets on 65 nm Advanced CMOS Technology SRAM | ||
| 来源期刊 | 中国原子能科学研究院年报：英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | zgyznkxyjynbywb_2012,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 56-57 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | O571.6 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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中国原子能科学研究院年报：英文版
主办单位：
原子能出版社
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北京市海淀区阜成路43号
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