一种CMOS带隙基准源的设计与仿真

• 作者: 刘国平 单海校 谢应孝
• 来源期刊: 福建电脑
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 CMOS 温度系数
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 应用与开发
• 页码范围: 162-163,100
• 页数: 3页
• 分类号: TP391.9
• 字数: 1449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2782.2012.02.075

摘要

分析了传统带隙基准源的基本原理,并在此基础上一款CMOS带隙基准源电路。该电路基于UMC0.18μm CMOS工艺设计,利用cadence软件进行仿真。仿真结果表明,CMOS带隙基准源稳定输出电压1.22V,该电路在温度从-50-100℃进行扫描,其变化率为10.7ppm/℃,电源电压在1.7V-1.9V范围内发生变化时帯隙基准源输出电压变化很小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢应孝	浙江海洋学院机电工程学院	7	15	2.0	3.0
2	刘国平	浙江海洋学院机电工程学院	53	173	7.0	10.0
3	单海校	浙江海洋学院机电工程学院	43	100	5.0	8.0