考虑硅通孔的三维集成电路最高层温度模型

• 作者: 朱樟明 杨银堂 王凤娟 王宁
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成电路 硅通孔 温度模型 最高层芯片 热管理
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 580-584
• 分类号: TN402
• 字数: 2337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2012.04.015

摘要

针对三维集成电路最高层芯片,引入硅通孔面积比例因子r.,提出了考虑硅通孔的温度解析模型.Matlab分析表明,在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低；r越大,芯片温度越低；当芯片堆叠层数较多且r较小时,温度随着r的减小急剧上升；对于8层的三维集成电路,硅通孔面积比例因子的最佳范围为0.5％～1％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子学院	164	1318	18.0	26.0
3	王宁	西安电子科技大学微电子学院	5	50	3.0	5.0
4	王凤娟	西安电子科技大学微电子学院	3	21	3.0	3.0