一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计

• 作者: 宋志棠 王倩 胡佳俊 蔡道林 陈后鹏
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: LDO 瞬态响应 相位裕度
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 376-379
• 分类号: TN433
• 字数: 2418字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.019

摘要

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术.该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200 mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6 dB,启动时间只有16 μs,在输出电容为10 pF、负载电流以200mA/2 μs突变时,最大下冲电压为120 mV,上冲电压为160 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡佳俊	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室	7	34	4.0	5.0
2	陈后鹏	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室	14	47	4.0	6.0
3	王倩	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室	85	578	12.0	22.0
4	蔡道林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室	7	30	3.0	5.0