中子辐照6H-SiC晶体的退火特性及缺陷观测

• 作者: 王鹏飞 祝威 贾敏 阮永丰 马鹏飞 黄丽
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅晶体 中子辐照 退火 位错
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 人工晶体
• 页码范围: 436-442
• 分类号: O774
• 语种: 中文

摘要

利用X射线衍射（XRD）研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽（full width atha lf maximum,FWHM）增大,之后又随退火温度的升高,在700～1230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据,可发展一种适合测量高温和复杂温度场温度的测温方法。采用添加了K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、辐照后及辐照后退火的掺氮6H-SiC单晶进行位错腐蚀观察,发现经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM随退火温度的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的一个重要因素。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮永丰	天津大学理学院	57	357	11.0	14.0
2	马鹏飞	天津大学理学院	9	44	5.0	6.0
3	王鹏飞	天津大学理学院	16	132	6.0	11.0
4	贾敏	天津大学理学院	4	28	3.0	4.0
5	祝威	天津大学理学院	4	26	3.0	4.0
6	黄丽	天津大学理学院	4	30	4.0	4.0