MEMS器件制造中镍的化学机械抛光研究

• 作者: 储向峰 张王兵 李秀金 白林山 董永平
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 镍 化学机械抛光 抛光速率
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 585-588
• 分类号: TP211.4
• 字数: 818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-185X.2012.04.005

摘要

利用自制的抛光液对高纯镍片进行化学机械抛光,研究化学机械抛光过程中抛光压力、pH值、H2O2浓度、络合剂种类及其浓度、SiO2浓度等参数对抛光速率的影响.结果表明在抛光压力为13.79 kPa、H2O2浓度为0.5％,pH值为3.0,SiO2浓度为0.5％,络合剂EDTA及其浓度为1％时,得到最大抛光速率为312.3 nm/min;在抛光压力为13.79 kPa、pH值为4.0、SiO2浓度为1％、络合剂EDTA为1％、H2O2浓度为1％条件下抛光得到的镍片表面质量较好,表面粗糙度Ra达到5nm.并利用电化学手段研究了镍片在抛光液中的溶解与钝化行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储向峰		59	209	6.0	11.0
2	李秀金		3	9	2.0	3.0
3	董永平		45	183	7.0	11.0
4	张王兵		23	112	6.0	9.0
5	白林山		60	293	10.0	14.0