In0.14Ga0.86As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析

• 作者: 丁召 何浩 周勋 尚林涛 张毕禅 罗子江 贺业全 郭祥
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 反射式高能电子衍射 分子束外延 扫描隧道显微镜 InGaAs表面重构 模拟
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 表面科学
• 页码范围: 256-262
• 分类号: N34
• 字数: 3739字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.03.16

摘要

以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19 ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19 ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Gao.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描隧道显微镜分析发现其表面主要由占大多数的4×3及少量的α2(2×4)重构混合而成,并用软件模拟RHEED对实验结果进行了验证.