消除区熔硅单晶生长中“硅刺”的研究

• 作者: 刘燕
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 区熔 线圈 硅刺
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料制备工艺与设备
• 页码范围: 32-34,52
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 2002字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2012.05.009

摘要

在无位错FZ硅单晶生长过程中,长＂硅刺＂是一种对单晶生长十分有害且常见的现象。单晶生长过程中一旦出现＂硅刺＂,如不能及时消除,会导致中途停炉,不仅浪费原料,而且影响生产,因此,如何减少和消除硅刺,是FZ单晶拉制中,需要着重解决的问题。对FZ硅单晶生长过程中,减少和消除硅刺进行了研究,尤其是加热线圈结构设计对抑制硅刺产生的重要作用。通过对线圈的合理改进,使FZ单晶生长过程中避免或减少＂硅刺＂的出现。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘燕	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	34	4.0	5.0