Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 新器件 N沟道 转换技术 导通电阻 电流等级 使用功率 能源系统
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 页码范围: 111-111
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 320字
• 语种: 中文

摘要

Vishay Intertechnology，Inc宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／，将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。