RF功率对PECVD制备SiN薄膜性能的影响

• 作者: 唐健
• 来源期刊: 消费电子
• 学科: 化学
• 关键词: RF功率 PECVD SiN薄膜 性能
• 年，卷（期）: 2012,（17）
• 页码范围: 6
• 分类号: O657
• 字数: 1464字
• 语种: 中文

摘要

为了得到Si3N4薄膜的性质和制备参数之间的对应关系,利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的(100)面上制备了Si3N4薄膜,反应气体是SIH4和氨气的混合气.研究了射频源的输入功率对Si3N4薄膜性能的影响.结果显示:虽然Si3N4薄膜制备功率不一样,但其表面的光滑性和致密性没有差异.除此之外,薄膜表面的粗糙度随功率的增大而减小;薄膜的沉积速率也随功率的增大呈上升趋势;薄膜的腐蚀速率随功率的增大而减少;薄膜的均匀性也随着LF功率的增加而减小.