基于TCAD软件的纳米MOS器件特性分析

• 作者: 周明辉
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 TCAD 纳米MOS器件
• 年，卷（期）: dnzsyjsxsb_2012,（8）
• 页码范围: 5438-5441
• 页数: 4页
• 分类号: TP311

摘要

该文借助计算机仿真软件以32nmNMOS器件为例，研究了短沟道器件的特性。通过采用迁移率、碰撞离化、载流子复合等物理模型在模拟软件中建立了合适的器件模型。在此基础上对比分析了0．18m长沟与32nm短沟NMOS器件的输入、输出以及击穿特性。此外，讨论了不同栅氧厚度对纳米器件输入特性和击穿特性的影响。较薄的栅氧设计能显著降低器件的功耗，提升集成电路与系统的性能，同时对可靠性造成一定影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周明辉	陕西冶金设计研究院有限公司	2	2	1.0	1.0