化学机械抛光中材料去除非均匀性及因子分析

• 作者: 宋建军 杜诗文 蒋名国 闫东亮
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 因子设计 有限元分析 非均匀性 应力应变分布 材料去除率
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 184-189
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.03.009

摘要

化学机械抛光中晶圆表面材料去除的非均匀性是影响抛光质量的主要因素之一.材料去除非均匀性直接影响上层布线的质量.通过对抛光垫与晶圆表面不同接触状态下的摩擦学分析,得到抛光垫与晶圆不同接触状态下摩擦系数.采用归一化摩擦系数方法,简化了抛光垫与晶圆之间的接触行为,并建立了基于接触机理的化学机械抛光有限元模型.分析了不同工艺参数下晶圆表面应力分布以及层间剪切应力分布规律,得到了工艺参数对表面材料去除非均匀性和低k介质层材料剥离的影响规律.采用因子设计方法分析了影响晶圆表面材料去除非均匀性的工艺参数的因素水平,为化学机械抛光工艺优化提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜诗文	太原科技大学材料科学与工程学院	23	77	6.0	7.0
2	宋建军	太原科技大学机械工程学院	9	39	4.0	5.0
3	蒋名国	太原科技大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0
4	闫东亮	太原科技大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0