氧气通量对反应溅射法制备HfO2薄膜生长过程的影响

• 作者: 唐武 杨宇桐
• 来源期刊: 凝聚态物理学进展
• 学科: 物理学
• 关键词: HFO2薄膜 射频磁控反应溅射 XPS AFM
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: O4

摘要

利用金属Hf与氧气反应溅射制备了HfO2薄膜,采用X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)等手段对薄膜的组成成分以及表面形貌进行了分析表征,并从薄膜生长机理角度研究了氧气的通量对于HfO2成膜过程的影响,得到了氧气通量的增大能使HfO2薄膜的化学配比、非晶结构和表面形貌得到优化的结论。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	12	96	5.0	9.0
2	杨宇桐	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0