4英寸SiC衬底上高性能GaN HEMT材料

• 作者: 冯志红 尹甲运 房玉龙 盛百城 蔡树军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC衬底 GaN HEMT 位错 迁移率 金属有机气相沉积(MOCVD)
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 430-433
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.07.005

摘要

使用金属有机气相沉积(MOCVD)设备在4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘SiC衬底上进行了GaN HEMT结构材料的生长.GaN外延材料(002)和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别为166和238 arcsec,表面粗糙度(Rms)(5 μm×5 μm)达到0.174 nm,表明GaN外延材料具有较好的晶体质量.另外,喇曼测试发现整个4英寸GaN外延材料应力分布比较均匀,与3英寸GaN外延材料相比应力没有增加.通过非接触霍尔测得GaN HEMT结构材料二维电子气的迁移率达到2 153 cm2/(V·s)、面密度为9.49×1012 cm-2,方块电阻相对标准偏差1.1％,表现出良好的电学性能和均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡树军		18	62	4.0	7.0
2	房玉龙		15	24	2.0	3.0
3	冯志红		38	81	5.0	5.0
4	尹甲运		13	32	4.0	5.0
5	盛百城	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	3	1.0	1.0