硅含量对SiOx薄膜光学和电学性能的影响

• 作者: 杨德仁 王锋 谢敏 金璐 陈乐
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 富硅氧化硅 硅纳米晶 光致发光 导电性
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 651-654
• 分类号: TB43|O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2013.05.006

摘要

利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1＜x＜2)薄膜.通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中的硅纳米晶(Si-NCs).而SiOx薄膜热处理后的光致发光(PL)强度及其MOS器件的导电性都存在随其硅含量的增大而先增强后减弱的趋势,且光致发光有一定的红移现象.这是由于随着硅含量的增大,SiOx薄膜中Si-NCs的结构与分布发生改变,形成“接触”Si-NCs,从而使得光学和电学性能发生改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	陈乐	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	157	4.0	7.0
3	王锋	浙江大学硅材料国家重点实验室	15	193	6.0	13.0
4	谢敏	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	41	4.0	6.0
5	金璐	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	27	3.0	5.0