溅射气压对碳硅氧薄膜透过率及光学带隙的影响

• 作者: 冯建 姜宏 王琦 那聪 马艳平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳硅氧薄膜 磁控溅射 透过率 光学带隙
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 页码范围: 1470-1475
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 字数: 3538字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术在玻璃基底和单晶硅片(100)上制备了碳硅氧(SiOC)薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱及紫外可见透射光谱等技术手段对其进行了分析,研究了在不同溅射气压下所制备薄膜的组分、透过率及光学带隙.结果表明:随着溅射气压的增大,薄膜内部sp3键含量、透过率及光学带隙均随之增大,sp3键及其形成的宽带隙σ键对薄膜光学带隙有着较大影响.在溅射气压为3.0 Pa的条件下,薄膜光学带隙为2.67 eV.