0.13μm逻辑平台自对准工艺新型器件的优化

• 作者: 吕瑞霖 李由 范建国 黄晨
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应管 多晶硅 器件
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1502字
• 语种: 中文

摘要

增加一层多晶硅的自对准工艺已经被验证在0.5μm以上的逻辑工艺平台有效降低50%金属氧化物半导体场效应管的面积。然而随着栅极尺寸的不断缩小，自对准工艺的器件结构发生了变化，其器件的不均匀性效应越来越高地被凸现出来。文章将以0.13μm的逻辑工艺为例，阐述了工艺中的器件不均匀性效应以及通过调整多晶硅的制程参数（温度）的方式予以解决的实例。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范建国		3	1	1.0	1.0
2	黄晨		2	0	0.0	0.0
3	吕瑞霖		1	0	0.0	0.0
4	李由		1	0	0.0	0.0