气压及偏压对磁控溅射TaN薄膜力学性能影响

• 作者: 刘星 刘顺华 孙刚 段玉平 马国佳
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应磁控溅射 TaN薄膜 气压 偏压 力学性能
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 结构薄膜
• 页码范围: 54-60
• 分类号: TG17
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.01.12

摘要

采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响.利用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜分析薄膜化学结构及形貌,利用纳米压痕、划痕实验仪对薄膜力学性能进行测定.研究表明,制备气压上升影响六方TaN相择优取向,气压、Ar/N2流量比及偏压改变对TaN薄膜力学性能有较大影响.实验证明在1.1×10-1 pa,偏压100 V下制备的TaN薄膜具有最高硬度32.4 GPa,最高结合力极限载荷27N.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段玉平	大连理工大学材料科学与工程学院	50	492	13.0	18.0
2	刘顺华	大连理工大学材料科学与工程学院	90	1573	21.0	34.0
3	刘星	高能束流加工技术国防重点实验室北京航空工程研究所	8	19	3.0	4.0
5	马国佳	高能束流加工技术国防重点实验室北京航空工程研究所	7	122	5.0	7.0
7	孙刚	高能束流加工技术国防重点实验室北京航空工程研究所	4	18	3.0	4.0