工作压对射频磁控溅射ZAO薄膜微结构及光电性能影响的研究

• 作者: 万文琼 冯晓炜 况慧芸 朱华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZAO薄膜 透射率 电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 1857-1863
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3725字
• 语种: 中文

摘要

运用射频磁控溅射技术,改变工作压(3 ～ 10 Pa)在玻璃衬底上生长透明导电ZnO∶ Al (ZAO)样品,采用XRD、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测量仪及SEM对薄膜微结构、厚度及其光电性能表征.结果发现:随着工作压增大,样品XRD曲线由多峰转变为(002)单峰,峰强变大半高宽减小,晶粒尺寸由10.01 nm增大到13.46 nm,薄膜结晶性能变好;紫外可见光光谱在400 ～ 760 nm波长区间平均透射率均在85％以上,且在400 nm以下均有吸收边峰出现,样品带隙宽度随工作压增加有蓝移现象,样品厚度随工作压增加从1085 nm减小到781 nm.样品电阻率随工作压从3～6 Pa增加由0.5×10-4Ω·cm增大到35×10-4Ω·cm,在6～10 Pa区间有减小趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	况慧芸	景德镇陶瓷学院科技艺术学院工程系	12	61	4.0	7.0
2	朱华	景德镇陶瓷学院机电学院	30	108	6.0	8.0
6	冯晓炜	景德镇陶瓷学院科技艺术学院工程系	7	17	2.0	4.0
7	万文琼	景德镇陶瓷学院科技艺术学院工程系	8	8	2.0	2.0