工艺对磁控溅射ZAO薄膜光电特性的影响

• 作者: 林钰 贾晓林 辛荣生
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 磁控溅射 ZAO膜 电阻率 透过率
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.09.016

摘要

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ZAO透明导电膜,研究了温度、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ZAO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响.实验结果表明,当温度470 ℃、氧氩比0.5 / 40、溅射气压0.5 Pa和镀膜速率3.6 nm/min左右时,可获得薄膜电阻率7.2×10-4 Ω·cm、可见光透过率85 %以上的最佳光电特性参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾晓林	郑州大学材料科学与工程学院	72	778	13.0	24.0
2	林钰	河南教育学院化学系	34	267	9.0	15.0
3	辛荣生	郑州大学材料科学与工程学院	27	246	9.0	14.0