功率VDMOS器件的新型SPICE模型

• 作者: 孙伟锋 张春伟 朱荣霞 王锦春 马德军 黄栋
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS SPICE模型 内部节点 准饱和效应
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 478-482
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2013.03.006

摘要

为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	张春伟	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	8	18	3.0	4.0
3	朱荣霞	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0
4	黄栋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0
5	马德军	中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室	2	5	2.0	2.0
6	王锦春	中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室	5	5	2.0	2.0