p型透明导电氧化物CuCrl-xMgxO2的制备及光电性能研究

• 作者: 刘远 宋晓英 杨元政 谢致薇
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: p型半导体 CuCrl-xMgxO2 溶胶-凝胶法 电导率 光学带隙 吸收度
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TB36
• 字数: 2859字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.08.011

摘要

采用溶胶-凝胶法制备了CuCr1-xMgO2粉末,压制烧结形成了CuCr1-xMgxO2陶瓷样品,研究了Mg2+掺杂量和压制压强对CuCrO2粉末和陶瓷的相组成、显微结构及光电性能的影响.结果表明:随着Mg2+掺杂量从0.01增加到0.07,所制CuCr1-xMgxO2粉末对紫外-可见光的吸收度增加,光学带隙宽度由3.25eV逐渐减小到2.86eV.随着Mg2+掺杂量或压制压强的增加,其相应陶瓷样品的电导率均先增大后减小.当Mg掺杂量x为0.03,压制压强为550 MPa时,制备的CuCr0.97Mg0.03O2陶瓷样品的电导率达到最大值,为19.8S/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢致薇	广东工业大学材料与能源学院	85	436	12.0	15.0
2	杨元政	广东工业大学材料与能源学院	123	648	13.0	20.0
3	刘远	广东工业大学材料与能源学院	5	18	2.0	4.0
4	宋晓英	广东工业大学材料与能源学院	2	13	1.0	2.0