沉积气压对纳米晶硅薄膜晶化率与电输运性能的影响

• 作者: 吴天如 张磊 江丰 沈鸿烈 潘园园
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 沉积气压 纳米晶硅 热丝化学气相沉积 晶化率 电输运性能
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 110-114
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.02.02

摘要

采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响.结果表明,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸随沉积气压升高而增大,而当沉积气压超过6Pa后,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸会减小.当沉积气压由1Pa升高到2Pa时,BH3粒子迅速增多,且吸附方式是化学吸附,因而载流子浓度从8.9×1018 cm-3迅速增大到6.252×102 cm-3.此时电导率从1.08 S/cm显著增加到29.5 S/cm,而电导激活能则从95.8 meV急剧减小至18.6 meV,这是硼杂质掺杂浓度和薄膜的晶化率迅速增大所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊	南京航空航天大学材料科学与技术学院	82	468	13.0	16.0
2	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
3	江丰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	17	57	5.0	6.0
4	吴天如	南京航空航天大学材料科学与技术学院	10	38	3.0	6.0
5	潘园园	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	7	2.0	2.0