AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响

• 作者: 朱建军 李影智 汪加兴 范亚明 邓旭光 邢艳辉 陈翔 韩军
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN AlN成核层 Si衬底 金属有机化合物气相沉积(MOCVD)
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 1338-1343
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜.采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响.对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)随着厚度增加而变大.对GaN的测试表明,所有GaN样品在垂直方向处于压应变状态,并且随AlN厚度增加而略有减弱.GaN的(0002)ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着AlN成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12)ω扫描的FWHM随着厚度增加而有所下降.(10-12)ω扫描的FWHM与GaN的刃型穿透位错密度相关,AlN成核层的厚度较大时会降低刃型穿透位错密度,并减弱c轴方向的压应变状态.