退火温度对磁控溅射Mo薄膜结构和性能的影响

• 作者: 孙伟 朱爱春 胡光 花银群 邢明立 陈瑞芳
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: Mo薄膜 磁控溅射 退火温度 微观结构 电学性能
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 表面工程
• 页码范围: 78-80
• 分类号: TG174.44
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射技术在石英基体上制备了厚度为600 nm的Mo薄膜,并在不同温度下(400～ 900℃)对其进行退火处理.通过XRD、SEM、四探针测试仪对Mo薄膜的结构和性能进行了分析.结果表明,随着退火温度的升高,(110)晶面择优取向特性增强.Mo薄膜在退火温度为800℃时电阻率达到最小值3.56×10-5 Ω·cm,在900℃退火时薄膜出现宽度约为50 nm的微裂纹且薄膜电阻率较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	花银群	江苏大学材料科学与工程学院	66	512	13.0	20.0
2	陈瑞芳	江苏大学机械工程学院	43	413	12.0	19.0
3	孙伟	江苏大学材料科学与工程学院	20	68	5.0	7.0
4	胡光	江苏大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
5	朱爱春	江苏大学机械工程学院	2	7	2.0	2.0
6	邢明立	江苏大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0