基于直流磁控溅射晶种层的ZnO纳米阵列的制备及性能研究

• 作者: 丁雨田 尚兴记 张增明 张杨 王璟 陈小焱
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流磁控溅射 晶种层薄膜 纳米阵列 ZnO
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 2340-2345
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2927字
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应磁控溅射法制备品种层薄膜,研究O2/Ar气体分压比和退火温度对品种层结构和微观形貌的影响.通过化学水浴沉积,在预制有晶种层的薄膜上制备ZnO纳米阵列结构,研究不同前驱体浓度和预制晶种层对纳米阵列生长的影响.结果表明,当O2/Ar中O2分压减少,薄膜均匀性较差,当Ar分压增加薄膜由于扩散而趋于平整.退火温度增加,晶粒尺寸增大,内应力降低.磁控溅射法预制的晶种层上生长的纳米棒垂直于衬底生长,(002)晶面的衍射峰强最高,说明纳米棒沿c轴择优取向.生长液的浓度对纳米棒的形貌影响显著,随着生长液浓度的升高,ZnO纳米阵列直径增大,顶端趋于平整的六棱柱结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁雨田	兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室	172	1117	15.0	22.0
2	王璟	兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室	14	88	7.0	8.0
3	张增明	兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室	8	35	4.0	5.0
4	张杨	兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室	4	12	2.0	3.0
5	陈小焱	兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室	5	34	4.0	5.0