射频磁控溅射沉积TiAlN薄膜的电阻率温度系数

• 作者: Min-Ho PARK Sang-Ho KIM
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: 喷墨打印头 TiAlN 射频磁控溅射 电阻率温度系数
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 功能材料
• 页码范围: 433-438
• 页数: 6页
• 字数: 467字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(13)62481-4

摘要

TiAlN薄膜是一种有可能作为喷墨打印头中传统的TaN或TaAl发热电阻的替代品.采用TiN和AlN作靶材,在400℃ 下用射频磁控溅射共沉积方法在Si(100)基底上制备TiAlN薄膜,研究了磁控溅射沉积时等离子体功率密度对TiAlN薄膜电阻率温度系数和抗氧化性能的影响.结果表明,TiAlN薄膜的结晶度、晶粒尺寸和表面粗糙度随着等离子体功率密度的增加而增大,从而导致大晶粒和小晶界.X射线光电子能谱分析得到的Ti、Al和N的键合能表明,TiAlN中氮素化学计量学亏缺使TiAlN薄膜的电阻更大.在最高等离子体功率密度下制备的TiAlN薄膜具有最高的抗氧化性能和最低的电阻率温度系数(-765.43×10-6K-1).