自组织GaN小岛的InGaN/GaN量子阱白光发射

• 作者: 杨晓东
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 GaN岛 量子阱 微观结构 发光特性 白光
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 154-159
• 页数: 6页
• 分类号: O431.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201340.0406002

摘要

成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁.以此作为一个理想的基底,在非极性小面上设计制备了InGaN/GaN多量子阱发光有缘层结构.通过透射电子显微镜(TEM)制样和微观结构分析,确定了GaN小岛的生长特性和小面形成特性,并利用阴极荧光光谱对InGaN/GaN多量子阱的发光特性进行比较和讨论.结果表明,单一小岛可有效实现混合白色发光(蓝色、绿色和红色),经过确认发现,半极性小面上的InGaN/GaN量子阱结构为明亮多色发光的主要区域.进一步小面构成的量子阱结构控制,可有效地调整白光质量,并对新一代白光照明提供新的方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓东		25	145	6.0	11.0