金属栅功函数优化及其后栅工艺对32nm器件性能的模拟研究

• 作者: 俞少峰 施雪捷 杨勇胜 潘梓诚 赵猛
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 金属栅 功函数 短沟道效应 工作电流 后栅工艺 机械应力
• 年，卷（期）: 2013,（30）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 8921-8927
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 字数: 4987字
• 语种: 中文

摘要

基于Synopsys SWB仿真平台,研究了高K介质金属栅器件中栅功函数变化在N/PMOSFET器件的影响；模拟和分析了金属栅功函数在Lgate=32 nm N/PMOSFET器件工作特性提高中的最佳优化方向及其机理.研究结果表明,栅极功函数对N/PMOS器件工作电流Idsat的影响并非简单地单调变化,而是呈现类似钟型分布的特性；存在最佳工作点.同时金属功函数的优化对于器件短沟道效应SCE和关断漏电流的抑制有着显著地影响.此外通过模拟金属栅替代多晶硅栅的应力模拟表明,自去除多晶硅栅到在沉积金属栅的过程中,会对器件沟道区产生明显的应力作用,从而极大提高器件的工作电流特性.因而,采用优化的金属栅代替多晶硅栅结合High-k材料可以有力推动CMOS器件继续沿着摩尔定律向更小器件尺寸的发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵猛	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司技术研发中心	1	0	0.0	0.0
2	施雪捷	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司技术研发中心	1	0	0.0	0.0
3	杨勇胜	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司技术研发中心	1	0	0.0	0.0
4	潘梓诚	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司技术研发中心	1	0	0.0	0.0
5	俞少峰	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司技术研发中心	2	0	0.0	0.0