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衬底温度对反应溅射ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响
衬底温度对反应溅射ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响
作者:
余嘉晗
刘金彪
邓衍明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
磁控溅射
ZnO:Al薄膜
衬底温度
电阻率
透过率
摘要:
衬底温度在反应溅射制备ZnO:Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金(Al的含量为2%)靶,在衬底温度170℃,工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18的条件下,制备了ZnO:Al薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析,利用分光光度计和四探针法测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的衬底温度对薄膜的结构、电学、光学性能的影响,结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率先下降后上升,而可见光范围平均透过率在85%以上,当衬底温度为170℃,工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18时,薄膜电阻率最低为2.16×10-4Ω?cm,方块电阻30Ω时,在可见光光范围内平均透过率高于85%。
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篇名
衬底温度对反应溅射ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响
来源期刊
电子世界
学科
关键词
磁控溅射
ZnO:Al薄膜
衬底温度
电阻率
透过率
年,卷(期)
2013,(21)
所属期刊栏目
科研发展
研究方向
页码范围
92-92,93
页数
2页
分类号
字数
1572字
语种
中文
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余嘉晗
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
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ZnO:Al薄膜
衬底温度
电阻率
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研究来源
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期刊影响力
电子世界
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
半月刊
ISSN:
1003-0522
CN:
11-2086/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市
邮发代号:
2-892
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
36164
总下载数(次)
96
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