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摘要:
衬底温度在反应溅射制备ZnO:Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金(Al的含量为2%)靶,在衬底温度170℃,工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18的条件下,制备了ZnO:Al薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析,利用分光光度计和四探针法测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的衬底温度对薄膜的结构、电学、光学性能的影响,结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率先下降后上升,而可见光范围平均透过率在85%以上,当衬底温度为170℃,工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18时,薄膜电阻率最低为2.16×10-4Ω?cm,方块电阻30Ω时,在可见光光范围内平均透过率高于85%。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 衬底温度对反应溅射ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响
来源期刊 电子世界 学科
关键词 磁控溅射 ZnO:Al薄膜 衬底温度 电阻率 透过率
年,卷(期) 2013,(21) 所属期刊栏目 科研发展
研究方向 页码范围 92-92,93
页数 2页 分类号
字数 1572字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余嘉晗 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 1 0 0.0 0.0
2 刘金彪 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 1 0 0.0 0.0
3 邓衍明 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
ZnO:Al薄膜
衬底温度
电阻率
透过率
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