衬底温度对反应溅射ZnO：Al透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 余嘉晗 刘金彪 邓衍明
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 磁控溅射 ZnO:Al薄膜 衬底温度 电阻率 透过率
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 科研发展
• 页码范围: 92-92,93
• 页数: 2页
• 字数: 1572字
• 语种: 中文

摘要

衬底温度在反应溅射制备ZnO：Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数，直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法，采用锌铝合金（Al的含量为2%）靶，在衬底温度170℃，工作压力2.5mTorr，氧氩比3/18的条件下，制备了ZnO：Al薄膜，利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析，利用分光光度计和四探针法测量了薄膜的光学和电学性能，研究了制备薄膜时不同的衬底温度对薄膜的结构、电学、光学性能的影响，结果表明，随着衬底温度的升高，薄膜的电阻率先下降后上升，而可见光范围平均透过率在85%以上，当衬底温度为170℃，工作压力2.5mTorr，氧氩比3/18时，薄膜电阻率最低为2.16×10-4Ω?cm，方块电阻30Ω时，在可见光光范围内平均透过率高于85%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余嘉晗	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
2	刘金彪	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	邓衍明		2	0	0.0	0.0